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網路整理新聞  

 

整合上中下游，串接起不同商模 布局開發3C產品與伺服器相關應用瀚柏科技股份有限公司專精於半導體產業相關設備及零件買賣，透過參與台灣、日本及韓國等各大半導體廠的出售標案取得設備，從上游磊晶到製程、量測及廠務設備，均有完整的產品可提供。其工程團隊也曾參與多項半導體建廠開發專案，透過良好的雙向溝通，提供客戶完整的建廠規畫與配套方案。

隨5G、物聯網及高效能演算法等新興科技應用快速拓展，半導體市場整體需求持續上升，加上政府積極推動國內半導體設備及零組件產業升級，瀚柏科技在半導體設備市場扮演著完整供應鏈角色。該公司表示，目前產品多應用在半導體磊晶工藝與晶片生產製程上，對於磊晶材料的研究與設備應用，與韓國ENI共同開發高溫MOCVD，其生長溫度在≤1400°C，主要應用在異質介面的生長。就像在矽晶圓(Si)或碳化矽(Sic)上面長GaN氮化鎵，該設備主要就是做為氮化鎵功率晶體長晶使用。

在半導體製程領域上，黃光設備曝光機(Stepper)與塗佈顯影機(Tracker)在市場上需求連年增加，瀚柏科技也將黃光設備的修繕保養列為服務重點項目之一。近年與台灣數家半導體大廠在設備方案多次合作，在設備銷售上，創造亮眼佳績，現已打入國內大型上市櫃半導體供應鏈。

因應5G的挑戰與商機，瀚柏科技看好氮化鎵的相關應用需求會持續增長，在產能擴充之下，加速帶動半導體生產設備的供不應求，將會著重布局在3C產品類（手機、平板、筆電）與伺服器相關應用開發，以及5G、WiFi6 網通產品的氮化鎵功率放大器之生產設備。

瀚柏科技指出，面對市場需求，積極在半導體生產設備的領域中，運用上中下游整合，串接起不同的商業模式，採用全新思維在半導體功率器件的生產設備項目上，創造出更大商機，為了擴大營運動能與規模，將預計於明（2022）年申請興櫃。

 

 

因應台灣半導體設備商擴廠需求熱潮，設備需求長期看旺，瀚柏科技與合作夥伴韓國CrystalPeople公司日前取得高溫磊晶機領導品牌E&I Solutions在中國以及台灣地區獨家代理權，其MOCVD磊晶設備可應用於Si（矽）基板上生長GaN（氮化鎵）或SiC（碳化矽）基板上生長GaN（氮化鎵）材料，積極強化布局滿足第三代半導體爆量需求。

瀚柏科技表示，MOCVD磊晶設備主要應用氮化鎵（GaN）在異質介面的基板上進行長晶時，需要以AlN（氮化鋁）做為緩衝層，來銜接氮化鎵的生長，現行市場上的MOCVD其生長溫度均為1,200度，相對於AlN（氮化鋁）緩衝層 生長速度緩慢，其生長厚度大約在（2000A）0.2um左右。但200U型的設計在於其操作溫度為1,400℃，在1,400℃的高溫環境下，AlN（氮化鋁）的生長速度較快（2~3 um／hr）可得到2~3um厚度的緩衝層。厚度較厚的緩衝層，在材料上可以得到較高的能階。而且Si（矽）上GaN（氮化鎵）或SiC（碳化矽）上GaN （氮化鎵）的應用上，厚度較厚的AlN（氮化鋁）緩衝層，對於在異質介面上生長氮化鎵其長晶結構會更穩定。

該公司認為，近年來GaN（氮化鎵）功率器件已是新一代功率元器件的半導體材料，物理性能優異，其高頻特性使其在低耐壓領域的應用日益廣泛。更為半導體產業注入大幅成長動能，加上市場應用長期看漲，使得設備與材料市場需求大增。

此外，瀚柏科技在半導體設備領域深耕多年，著重兩大領域，一是磊晶設備MOCVD，除了銷售德國愛斯強AIXTRON（法蘭克福上市）、美國威科儀器VEECO（納斯達克上市）兩大國際知名品牌之外，還攜手韓國夥伴成功獲得E&I Solutions在中國以及台灣地區獨家代理權，希望在GaN氮化鎵磊晶生長技術上，用更專業的角度與思維，提供客戶更多不同的選擇；其二是半導體製程設備（黃光／薄膜／蝕刻／沉積）等，全方面滿足客戶可持續發展的解決方案。

 

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